LUFTSPALTISOLATIONSSTRUKTUREN

Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Luftspaltisolationsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: ein Bulk-Substratmaterial; eine erste Luftspaltisolationsstruktur in dem Bulk-Substratmaterial und umfassend ein erstes Aspektverhältnis; und eine zweite Luftspaltisolationsstruktur in dem Bulk-Substratmaterial und umfassend ein zweites Aspektverhältnis, das von dem ersten Aspektverhältnis verschieden ist. The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to airgap isolation structures and methods of manufacture. The structure includes: a bulk substrate material; a first airgap isolation structure in the bulk substrate material and having a first aspect ratio; and a second airgap isolation structure in the bulk substrate material and having a second aspect ratio different from the first aspect ratio.