Verfahren zum Betreiben einer elektrisch programmierbaren Speicherzelle mit einem Chalkogenid für Mehrfach-Pegel Datenspeicher

Ein Verfahren zum Betreiben einer elektrisch programmierbaren Speicherzelle (2) mit einem Chalkogenid für Mehrfach-Pegel Datenspeicher umfasst Bereitstellen eines mit einem ersten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (3) an die Speicherzelle (2) zum Einstellen eines Widerstandszustands gemäß dem ersten vorgegebenen Temperaturpegel; Bereitstellen eines mit einem zweiten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (4) an die Speicherzelle (2) zum Zurücksetzen des seit dem Bereitstellen des mit dem ersten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (3) hervorgerufenen Widerstandsdrifts in dem Chalkogenid; und die ersten und zweiten Temperaturpegel sind jeweils größer als eine Glasübergangstemperatur (Tg) des Chalkogenids. A method of operating an electrically programmable memory cell comprising a chalcogenide for multi-level data storage, the method comprising providing a pulse signal associated with a first predetermined temperature level to the memory cell to adjust a resistance state according to the first predetermined temperature level; providing a pulse signal associated with a second predetermined temperature level to the memory cell to reset the resistance drift in the chalcogenide, which resistance drift has occurred since the providing the pulse signal associated with the first predetermined temperature level; and the first and second predetermined temperature levels are each greater than a glass transition temperature (Tg) of the chalcogenide.