Verfahren zur Entfernung eines Partikels von einem Maskensystem

Verfahren zur Entfernung von Partikeln (33) von einem Maskensystem (42) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), umfassend folgende Verfahrensschritte:- Detektion des Partikels (33) in dem Maskensystem (42),- Bereitstellen einer Laserstrahlung (35),- Entfernung des Partikels (33) durch Bestrahlung...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Oshemkov, Sergey, Blumrich, Jörg Frederik, Wei, Shao-Chi, Scherübl, Thomas, Völcker, Martin
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zur Entfernung von Partikeln (33) von einem Maskensystem (42) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), umfassend folgende Verfahrensschritte:- Detektion des Partikels (33) in dem Maskensystem (42),- Bereitstellen einer Laserstrahlung (35),- Entfernung des Partikels (33) durch Bestrahlung des Partikels (33) mit Laserstrahlung (35),wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung (35) derjenigen einer von der Projektionsbelichtungsanlage (1) verwendeten Nutzstrahlung (16) entspricht, dadurch gekennzeichnet, dassder Partikel (33) auf einem Pellikel (32) angeordnet ist. A method for removing particles from a mask system for a projection exposure apparatus, including the following method steps: detecting the particle in the mask system, providing laser radiation, and removing the particle by irradiating the particle with laser radiation. The wavelength of the laser radiation corresponds to that of used radiation used by the projection exposure apparatus.