PASSIVIERUNGSSTRUKTURIERUNG UND PLATTIERUNG FÜR HALBLEITERVORRICHTUNGEN

Hierin beschrieben sind ein Verfahren und eine durch das Verfahren hergestellte Leistungs-Halbleitervorrichtung (400). Das Verfahren umfasst: ein Ausbilden einer strukturierten Metallisierungsschicht (200) über einem Halbleitersubstrat (202); ein Ausbilden einer Schutzschicht (216) auf der strukturierten Metallisierungsschicht (200); ein Ausbilden einer ersten Passivierung (218) über der strukturierten Metallisierungsschicht (200), wobei die Schutzschicht (216) zwischen der ersten Passivierung (218) und der strukturierten Metallisierungsschicht (200) angeordnet ist; ein Strukturieren der ersten Passivierung (218), um ein oder mehr Gebiete (236) der Schutzschicht (216) freizulegen; ein Entfernen des einen oder der mehreren freigelegten Gebiete (236) der Schutzschicht (216), um einen oder mehr Teile (238) der strukturierten Metallisierungsschicht (200) freizulegen; und, nach einem Strukturieren der ersten Passivierung (218) und einem Entfernen der einen oder der mehreren freigelegten Gebiete (236) der Schutzschicht (216), ein Ausbilden einer zweiten Passivierung (240) auf der ersten Passivierung (218) und ein stromloses Plattieren des einen oder der mehreren freigelegten Teile (238) der strukturierten Metallisierungsschicht (200). Described herein is a method and a power semiconductor device produced by the method. The method includes: forming a structured metallization layer above a semiconductor substrate; forming a protective layer on the structured metallization layer; forming a first passivation over the structured metallization layer with the protective layer interposed between the first passivation and the structured metallization layer; structuring the first passivation to expose one or more regions of the protective layer; removing the one or more exposed regions of the protective layer to expose one or more parts of the structured metallization layer; and after structuring the first passivation and removing the one or more exposed regions of the protective layer, forming a second passivation on the first passivation and electroless plating the one or more exposed parts of the structured metallization layer.