VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (20) angegeben mit- Bereitstellen eines Trägers (22) mit einer Haupterstreckungsebene (22c),- Aufbringen eines optoelektronischen Halbleiterchips (21) mit einer Bodenfläche (21b) und einer Deckfläche (21a) auf den Träger (22), wobei die Deckfläche (21a) vom Träger (22) weggerichtet ist,- Aufbringen eines strahlungsdurchlässigen Vergusses (23) mit ersten Partikeln (24) und zweiten Partikeln (25) auf den Träger (22), so dass der Verguss (23) den optoelektronischen Halbleiterchip (21) zumindest stellenweise umgibt,- Ausrichten des Trägers (22) derart, dass auf die ersten Partikel (24) und die zweiten Partikel (25) eine Gravitationskraft (G) wirkt, die eine erste Komponente (G1) aufweist, welche in einer Richtung (R) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (22c) von der Bodenfläche (21b) zu der Deckfläche (21a) verläuft,- Separieren der ersten Partikel (24) von den zweiten Partikeln (25) aufgrund der Gravitationskraft (G), so dass in einem ersten Bereich (26) des Vergusses (23) die Konzentration der ersten Partikel (24) größer als die Konzentration der zweiten Partikel (25) und in einem zweiten Bereich (27) des Vergusses (23) die Konzentration der zweiten Partikel (25) größer als die Konzentration der ersten Partikel (24) ist, und- Aushärten des Vergusses (23). The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (20), comprising: - providing a carrier (22) having a main plane of extension (22c); - applying an optoelectronic semiconductor chip (21), which has a bottom surface (21b) and a top surface (21a), to the carrier (22) such that the top surface (21a) faces away from the carrier (22); - applying a radiation-transmissive potting material (23), which has first particles (24) and second particles (25), to the carrier (22) such that the potting material (23) surrounds the optoelectronic semiconductor chip (21) at least in places; - orienting the carrier (22) such that a gravitational force (G) having a first component (G1) running from the bottom surface (21b) to the top surface (21a) in a direction (R) perpendicular to the main plane of extension (22c) acts on the first particles (24) and on the second particles (25); - separating the first particles (24) from the second particles (25) by means of the gravitational force (G) so that, in a first region (26) of the potting material (23), the concentration of the first particles (24) is greate