Halbleitervorrichtung

Die Vielzahl erster Steuerelektroden erstreckt sich in einer Draufsicht in eine erste Richtung, die Vielzahl zweiter Steuerelektroden erstreckt sich in einer Draufsicht in eine zweite Richtung. Eine Summe von Längen in der ersten Richtung von Grenzen zwischen der zweiten Halbleiterschicht und der Vielzahl dritter Halbleiterschichten auf einer Fläche des Halbleitersubstrats, welche den Flächen der Vielzahl erster Steuerelektroden zugewandt ist, ist als eine erste Gate-Gesamtbreite festgelegt. Eine Summe von Längen in der zweiten Richtung von Grenzen zwischen der vierten Halbleiterschicht und der Vielzahl fünfter Halbleiterschichten auf einer Fläche des Halbleitersubstrats, welche der Vielzahl zweiter Steuerelektroden zugewandt ist, ist als eine zweite Gate-Gesamtbreite festgelegt. Ein Gate-Breitenverhältnis, welches erhalten wird, indem die zweite Gate-Gesamtbreite durch die erste Gate-Gesamtbreite dividiert wird, ist gleich oder größer als 1,0. The plurality of first control electrodes extend in a first direction in a planar view, the plurality of second control electrodes extend in a second direction in a planar view. A sum of lengths in the first direction of boundaries between the second semiconductor layer and the plurality of third semiconductor layers on a surface of the semiconductor substrate which faces the plurality of first control electrodes is set as a first gate total width. A sum of lengths in the second direction of boundaries between the fourth semiconductor layer and the plurality of fifth semiconductor layers on a surface of the semiconductor substrate which faces the plurality of second control electrodes is set as a second gate total width. A gate width ratio obtained by dividing the second gate total width by the first gate total width is equal to or higher than 1.0.