Nichtflüchtige Speichervorrichtung, System mit derselben undVerfahren zum Herstellen derselben

Eine nichtflüchtige Speichervorrichtung enthält eine erste untere Zwischenschicht-Isolierschicht und eine zweite untere Zwischenschicht-Isolierschicht, die sequenziell in einer ersten Richtung gestapelt sind; eine untere Metallschicht, die in der ersten unteren Zwischenschicht-Isolierschicht angeordnet ist; und eine Mehrzahl an unteren Bond-Metallen, die in der ersten unteren Zwischenschicht-Isolierschicht und der zweiten unteren Zwischenschicht-Isolierschicht angeordnet sind und in einer zweiten Richtung, die sich mit der ersten Richtung schneidet, voneinander beabstandet sind. Eine oberste Oberfläche in der ersten Richtung der unteren Metallschicht ist niedriger als eine oberste Oberfläche in der ersten Richtung der Mehrzahl an unteren Bond-Metallen, und die untere Metallschicht ist zwischen der Mehrzahl an unteren Bond-Metallen angeordnet. A nonvolatile memory device includes a first lower interlayer insulation layer and a second lower interlayer insulation layer that are sequentially stacked in a first direction; a lower metal layer disposed in the first lower interlayer insulation layer; and a plurality of lower bonding metals disposed in the first lower interlayer insulation layer and the second lower interlayer insulation layer and spaced apart from each other in a second direction that intersects the first direction. An uppermost surface in the first direction of the lower metal layer is lower than an uppermost surface in the first direction of the plurality of lower bonding metals, and the lower metal layer is placed between the plurality of lower bonding metals.