SPEICHERSYSTEM, DAS EINE NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERVORRICHTUNG ENTHÄLT, UND EIN LÖSCHVERFAHREN DAFÜR

Fehlererfassungsverfahren eines Speichersystems, das eine nichtflüchtige Speichervorrichtung und einen Speicher-Controller enthält, wobei das Fehlererfassungsverfahren enthält: Zählen der Anzahl von Löschungen einer mit einem Durchlasstransistor verbundenen Wortleitung durch den Speicher-Controller; Ausgeben eines ersten Löschbefehls durch den Speicher-Controller, wenn die Anzahl der Löschungen einen Referenzwert erreicht; Anlegen einer ersten Spannung durch die nichtflüchtige Speichervorrichtung als Reaktion auf den ersten Löschbefehl, die bewirkt, dass eine Gate-Source-Potentialdifferenz des Durchlasstransistors einen ersten Wert aufweist; Erfassen eines Leckstroms in einer Wortleitung durch den Speicher-Controller nach dem Anlegen der ersten Spannung; und Bestimmen der Wortleitung als fehlerhaft durch den Speicher-Controller, wenn eine durch den Leckstrom verursachte Leckspannung größer als ein erster Schwellenwert ist. A fail detecting method of a memory system including a nonvolatile memory device and a memory controller, the fail detecting method including: counting, by the memory controller, the number of erases of a word line connected to a pass transistor; issuing a first erase command, by the memory controller, when the number of erases reaches a reference value; applying a first voltage, by the nonvolatile memory device, in response to the first erase command, that causes a gate-source potential difference of the pass transistor to have a first value; detecting, by the memory controller, a leakage current in a word line, after the applying of the first voltage; and determining, by the memory controller, the word line as a fail when a leakage voltage caused by the leakage current is greater than a first threshold value.