Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie,- wobei die zu charakterisierende Maske (240, 340, 740, 803) über eine Beleuchtungsoptik (801) mit Licht einer Lichtquelle (705) beleuchtet wird, wobei dieses Licht eine Wellenlänge von weniger als 30 nm aufweist; und- wobei in einem Nutzstrahlengang von der Lichtquelle (705) über die Maske (240, 340, 740, 803) auf eine Sensoreinheit (770, 806) gelangendes Licht ausgewertet wird;- wobei zumindest zeitweise ein Teil des von der Lichtquelle (705) ausgesandten Lichtes über ein Spiegelarray (230, 330, 630, 730), welches eine Mehrzahl von unabhängig voneinander verstellbaren Spiegelelementen aufweist, aus dem Nutzstrahlengang ausgekoppelt wird;- wobei zumindest zeitweise die Intensität eines von dem Spiegelarray (230, 330, 630, 730) aus dem Nutzstrahlengang ausgekoppelten Lichtanteils mit einem Intensitätssensor (260, 360, 760) erfasst wird; und- wobei zur Graustufeneinstellung wenigstens einige der Spiegelelemente derart angesteuert werden, dass sie nur für einen Teil der Belichtungszeit der Sensoreinheit (770, 806) Licht aus dem Nutzstrahlengang auskoppeln. The invention relates to a method and an apparatus for characterizing a microlithography mask. In one aspect, in a method according to the invention, the mask to be characterized is illuminated with light from a light source via an illumination optics unit, said light having a wavelength of less than 30 nm, wherein light that passes in a used beam path from the light source via the mask to a sensor unit is evaluated, wherein, at least intermittently, a portion of the light emitted by the light source is outcoupled from the used beam path by use of a mirror array having a multitude of independently adjustable mirror elements, and wherein, intermittently by use of the mirror array, all light is outcoupled from the used beam path for establishment of a defined illumination time of the sensor unit.