EPITAKTISCHE MERKMALE

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Bilden desselben bereit. Ein Halbleiter gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schließt eine Vielzahl von Kanalelementen, die über einem Substrat angeordnet sind, eine Vielzahl von inneren Abstandshaltermerkmalen, die die Vielzahl von Kanalelementen verschachteln, eine Gatestruktur, die sich um jedes der Vielzahl von Kanalelementen herum wickelt, und ein Source/Drain-Merkmal ein. Das Source-/Drain-Merkmal schließt eine erste epitaktische Schicht in Kontakt mit dem Substrat und der Vielzahl von Kanalelementen, und eine zweite epitaktische Schicht in Kontakt mit der ersten epitaktischen Schicht und der Vielzahl von inneren Abstandshaltermerkmalen ein. Die erste epitaktische Schicht und die zweite epitaktische Schicht schließen Siliziumgermanium ein. Ein Germaniumgehalt der zweiten epitaktischen Schicht ist größer als ein Germaniumgehalt der ersten epitaktischen Schicht. The present disclosure provides a semiconductor device and a method of forming the same. A semiconductor device according one embodiment of the present disclosure include a plurality of channel members disposed over a substrate, a plurality of inner spacer features interleaving the plurality of channel members, a gate structure wrapping around each of the plurality of channel members, and a source/drain feature. The source/drain feature includes a first epitaxial layer in contact with the substrate and the plurality of channel members, and a second epitaxial layer in contact with the first epitaxial layer and the plurality of inner spacer features. The first epitaxial layer and the second epitaxial layer include silicon germanium. A germanium content of the second epitaxial layer is greater than a germanium content of the first epitaxial layer.