HALBLEITERLASER UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERKONVERTERELEMENT

Ein Halbleiterlaser (10) umfasst eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist, einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (105), der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Seitliche Begrenzungsflächen (103) der Halbleiterschichtanordnung (112) verlaufen schräg, so dass eine Reflexion von erzeugter elektromagnetischer Strahlung (15) in Richtung der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erfolgt. Der erste und der zweite Resonatorspiegel (125, 130) sind über der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) angeordnet. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner ein Konverterelement (135, 225) über einer von der Halbleiterschichtanordnung (112) abgewandten Seite des ersten Resonatorspiegels (125) auf. The invention relates to a semiconductor laser (10) comprising a semiconductor layer arrangement (112), having an active zone (115) for radiation generation, as well as comprising a first resonator mirror (125), a second resonator mirror (130) and an optical resonator (105) arranged between the first and the second resonator mirror (125, 130), which optical resonator extends in a direction parallel to a main surface (101) of the semiconductor layer arrangement (112). Lateral boundary surfaces (103) of the semiconductor layer arrangement (112) extend in an oblique manner so that a reflection of generated electromagnetic radiation (15) is produced in the direction of the first main surface (101) of the semiconductor layer arrangement (112). The first and the second resonator mirror (125, 130) are arranged above the first main surface (101) of the semiconductor layer arrangement (112). The semiconductor laser (10) further comprises a converter element (135, 225) above a side of the first resonator mirror (125) facing away from the semiconductor layer arrangement (112).