ZWEIDIMENSIONALES (2D) MATERIAL FÜR OXIDHALBLEITER-FERROELEKTRISCHE-FELDEFFEKTTRANSISTOR-VORRICHTUNG (OS-FEFET-VORRICHTUNG)

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine ferroelektrischer Feldeffekttransistor-Vorrichtung (FeFET-Vorrichtung). Bei einigen Ausführungsformen weist die FeFET-Vorrichtung eine ferroelektrische Schicht mit einer ersten Seite und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite, und eine Gateelektrode auf, die entlang der ersten Seite der ferroelektrischen Schicht angeordnet ist. Die FeFET-Vorrichtung weist ferner eine OS-Kanalschicht, die entlang der zweiten Seite der ferroelektrischen Schicht gegenüber der ersten Seite angeordnet ist, und ein Paar von Source/Drain-Regionen auf, die auf gegenüberliegenden Seiten der OS-Kanalschicht angeordnet sind. Die FeFET-Vorrichtung weist ferner eine 2D-Kontaktierungsschicht auf, die entlang der OS-Kanalschicht angeordnet ist. Die OS-Kanalschicht weist einen ersten Dotierungstyp und die 2D-Kontaktierungsschicht einen zweiten Dotierungstyp auf, der sich von dem ersten Dotierungstyp unterscheidet. The present disclosure relates a ferroelectric field-effect transistor (FeFET) device. In some embodiments, the FeFET device includes a ferroelectric layer having a first side and a second side opposite to the first side and a gate electrode disposed along the first side of the ferroelectric layer. The FeFET device further includes an OS channel layer disposed along the second side of the ferroelectric layer opposite to the first side and a pair of source/drain regions disposed on opposite sides of the OS channel layer. The FeFET device further includes a 2D contacting layer disposed along the OS channel layer. The OS channel layer has a first doping type, and the 2D contacting layer has a second doping type different than the first doping type.