SPEICHERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAVON

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Halbleiterstruktur und ein Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur bereit. Die Halbleiterstruktur schließt ein Substrat und einen dielektrischen Stapel über dem Substrat ein. Der dielektrische Stapel schließt eine erste Schicht über dem Substrat und eine zweite Schicht über der ersten Schicht ein. Die Halbleiterstruktur schließt ferner eine Gateschicht ein, die einen ersten Abschnitt, der die zweite Schicht durchquert, und einen zweiten Abschnitt einschließt, der sich zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht erstreckt. The present disclosure provides a semiconductor structure and a method for forming a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a substrate, and a dielectric stack over the substrate. The dielectric stack includes a first layer over the substrate and a second layer over the first layer. The semiconductor structure further includes a gate layer including a first portion traversing the second layer and a second portion extending between the first layer and the second layer.