Verfahren zur Chiptrennung unterstützt von einem Rückseitengraben und einem Haftmittel darin und elektronischer Chip

Ein Verfahren zum Trennen eines elektronischen Chips (100) von einem Wafer (102), wobei das Verfahren ein Bilden von mindestens einem Graben (104) in einer Rückseite (106) des Wafers (102) um zumindest einen Teil des abzutrennenden elektronischen Chips (100), ein Bilden einer Rückseitenmetallisierung (108), welche zumindest einen Teil der Rückseite (106) und zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) bedeckt, ein Befestigen einer Haftschicht (110) eines Tapes (112) an zumindest einem Teil der Rückseitenmetallisierung (108), und ein Trennen des elektronischen Chips (100) mittels Entfernens von Material von einer Vorderseite (114) des Wafers (102) entlang eines Trennungspfads (116) aufweist, welcher einen Teil des mindestens einen Grabens (104) enthält, derartig, dass während des Trennens die Haftschicht (110) zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) über einer Höhe der Rückseitenmetallisierung (108) auf der Rückseite (106) füllt. A method of separating an electronic chip from a wafer is disclosed. In one aspect, the method comprises forming at least one trench in a back side of the wafer around at least part of the electronic chip to be separated, forming a back side metallization covering at least part of the back side and at least part of the at least one trench and attaching an adhesive layer of a tape to at least part of the back side metallization. The electronic chip is separated by removing material from a front side of the wafer along a separation path which includes part of the at least one trench in such a way that, during separating, the adhesive layer fills at least part of the at least one trench above a level of the back side metallization on the back side.