NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERVORRICHTUNG UND BETRIEBSVERFAHREN DAFÜR

Nichtflüchtige Speichervorrichtung, die enthält: einen ersten Strang, der einen ersten Strang-Auswahltransistor, eine erste Speicherzelle und einen ersten Masse-Auswahltransistor enthält, einen zweiten Strang, der einen zweiten Strang-Auswahltransistor, eine zweite Speicherzelle und einen zweiten Masse-Auswahltransistor enthält, und eine Steuerung zum Anlegen einer Durchgangsspannung an eine erste Strang-Auswahlleitung von einem ersten Zeitpunkt an, zum Anlegen einer ersten Lesespannung an eine erste Wortleitung während eines ersten Leseabschnitts von dem ersten Zeitpunkt bis zu einem zweiten Zeitpunkt, zum Anlegen einer ersten Masse-Auswahlleitungsspannung an eine erste Masse-Auswahlleitung von dem ersten Zeitpunkt an, zum Anlegen einer Masse-Spannung an eine zweite Strang-Auswahlleitung, zum Anlegen der ersten Masse-Auswahlleitungsspannung an eine zweite Masse-Auswahlleitung während eines ersten Steuerabschnitts und zum Anlegen einer ersten gemeinsamen Source-Leitungsspannung an eine gemeinsame Source-Leitung während des ersten Steuerabschnitts. A non-volatile memory device including: a first string including a first string select transistor, a first memory cell and a first ground select transistor, a second string including a second string select transistor, a second memory cell and a second ground select transistor, and a controller to apply a pass voltage to a first string select line from a first time, apply a first read voltage to a first word line during a first read section from the first time to a second time, apply a first ground select line voltage to a first ground select line from the first time, apply a ground voltage to a second string select line, apply the first ground select line voltage to a second ground select line during a first control section, and apply a first common source line voltage to a common source line during the first control section.