Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Verfahren zum Erfassen eines fehlerhaften Speicherzellenblocks einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung

Ein Verfahren zum Erfassen, durch ein nichtflüchtiges Speichersystem, eines fehlerhaften Speicherzellenblocks aus Speicherzellenblöcken enthält: Durchführen, nach Durchführen einer Löschoperation, einer Leseoperation an mindestens einigen Speicherzellen, die in einem Ziel-Speicherzellenblock enthalten sind, basierend auf einer Aus-Zellen-Erfassungsspannung, die sich von einer Lesebezugsspannung unterscheidet, die eine Aus-Zelle, in der keine Daten geschrieben sind, von einer An-Zelle, in der Daten geschrieben sind, unterscheidet; Zählen einer Anzahl an harten Aus-Zellen mit einer höheren Schwellenspannung als die Aus-Zellen-Erfassungsspannung aus den Speicherzellen basierend auf einem Durchführungsergebnis der Leseoperation; und Identifizieren, ob der Ziel-Speicherzellenblock ein fehlerhafter Speicherzellenblock ist, basierend auf der Anzahl an harten Aus-Zellen. A method of detecting, by a nonvolatile memory system, a defective memory cell block from among memory cell blocks, includes performing, after performing an erase operation, a read operation on at least some memory cells included in a target memory cell block based on an off-cell detection voltage that is different from a read reference voltage that distinguishes an off-cell on which no data is written from an on-cell on which data is written; counting a number of hard off-cells having a higher threshold voltage than the off-cell detection voltage from among the memory cells based on a result of performing the read operation; and identifying whether the target memory cell block is a defective memory cell block based on the number of counted hard off-cells.