DUALGATESTRUKTUREN FÜR HALBLEITERVORRICHTUNGEN

Die vorliegende Offenbarung beschreibt eine Halbleiterstruktur, die einen Kanalbereich, einen Source-Bereich neben dem Kanalbereich, einen Drain-Bereich, einen Drift-Bereich neben dem Drain-Bereich und eine Dualgatestruktur aufweist. Die Dualgatestruktur weist eine erste Gatestruktur über Abschnitte...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Lee, Jia-Rui, Liu, Ruey-Hsin, Wang, Pei-Lun, Jhou, Jyun-Guan, Su, Po-Chih
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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