DUALGATESTRUKTUREN FÜR HALBLEITERVORRICHTUNGEN

Die vorliegende Offenbarung beschreibt eine Halbleiterstruktur, die einen Kanalbereich, einen Source-Bereich neben dem Kanalbereich, einen Drain-Bereich, einen Drift-Bereich neben dem Drain-Bereich und eine Dualgatestruktur aufweist. Die Dualgatestruktur weist eine erste Gatestruktur über Abschnitten des Kanalbereichs und Abschnitten des Driftbereichs auf. Die Dualgatestruktur umfasst ferner eine zweite Gatestruktur über dem Driftbereich. The present disclosure describes a semiconductor structure that includes a channel region, a source region adjacent to the channel region, a drain region, a drift region adjacent to the drain region, and a dual gate structure. The dual gate structure includes a first gate structure over portions of the channel region and portions of the drift region. The dual gate structure also includes a second gate structure over the drift region.