HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN

In einer Ausführungsform weist eine Vorrichtung auf: eine erste Nanostruktur über einem Substrat, wobei die erste Nanostruktur einen Kanalbereich und einen ersten leicht dotierten Source/Drain-Bereich (LDD-Bereich) aufweist, wobei der erste LDD-Bereich neben dem Kanalbereich liegt; einen ersten epitaktischen Source/Drain-Bereich, der vier Seiten des ersten LDD-Bereichs umschließt; eine Zwischenschichtdielektrikums-Schicht (ILD-Schicht) über dem ersten epitaktischen Source/Drain-Bereich; einen Source/Drain-Kontakt, der sich durch die ILD-Schicht erstreckt, wobei der Source/Drain-Kontakt vier Seiten des ersten epitaktischen Source/Drain-Bereichs umschließt; und einen Gatestapel neben dem Source/Drain-Kontakt und dem ersten epitaktischen Source/Drain-Bereich, wobei der Gatestapel vier Seiten des Kanalbereichs umschließt. In an embodiment, a device includes: a first nanostructure over a substrate, the first nanostructure including a channel region and a first lightly doped source/drain region, the first lightly doped source/drain region adjacent the channel region; a first epitaxial source/drain region wrapped around four sides of the first lightly doped source/drain region; an interlayer dielectric over the first epitaxial source/drain region; a source/drain contact extending through the interlayer dielectric, the source/drain contact wrapped around four sides of the first epitaxial source/drain region; and a gate stack adjacent the source/drain contact and the first epitaxial source/drain region, the gate stack wrapped around four sides of the channel region.