Herstellungsverfahren eines vergrabenen Reflektors in einem Lichtsensor

Verfahren zur Herstellung eines vorderseitig beleuchtbaren Lichtpixels ausgehend von einem Halbleiter-Substrat mit einer vorgegebenen Kristallstruktur an der einer Oberseite mit den Schritten:- Epitaktische Abscheidung einer Halbleiter-Schicht,- Maskierung der Halbleiter-Schicht,- Nasschemische Strukturierung des Halbleiters in der Form, dass sich zwischen den Öffnungen der Maskierung kegelförmige Vertiefungen bilden,- Abscheidung eines Dielektrikums oder einer Metallschicht zur Bildung reflektierender Schichten,- Abdeckung der reflektierenden Schicht und Auffüllung der Vertiefungen mittels weiterer epitaktische Abscheidung von Halbleitermaterial- Planarisierung des Halbleitermaterials.- Abscheidung einer weiteren epitaktischen Halbleiterschicht, die als Licht-Absorptionsvolumen und zur Aufnahme der Pixelelektronik ausgebildet ist.