HALBLEITERSTRUKTURIERUNG UND RESULTIERENDE STRUKTUREN

Ein Verfahren umfasst Abscheiden einer Hartmaske über einer Zielschicht. Abscheiden der Hartmaske umfasst Abscheiden einer ersten Hartmaskenschicht, die eine erste Dichte aufweist, und Abscheiden einer zweiten Hartmaskenschicht über der ersten Hartmaskenschicht, wobei die zweite Hartmaskenschicht eine zweite Dichte aufweist, die höher als die erste Dichte ist. Das Verfahren umfasst weiter Bilden einer Vielzahl von Dornen über der Hartmaske; Abscheiden einer Abstandhalterschicht über und entlang Seitenwänden der Vielzahl von Dornen; Strukturieren der Abstandhalterschicht, um eine Vielzahl von Abstandhaltern an den Seitenwänden der Vielzahl von Dornen bereitzustellen; nach Strukturieren der Abstandhalterschicht, Entfernen der Vielzahl von Dornen; Übertragen einer Strukturierung der Vielzahl von Abstandhaltern auf die Hartmaske; und Strukturieren der Zielschicht unter Verwendung der Hartmaske als eine Maske. A method includes depositing a hard mask over a target layer. Depositing the hard mask includes depositing a first hard mask layer having a first density and depositing a second hard mask layer over the first hard mask layer, the second hard mask layer having a second density greater than the first density. The method further includes forming a plurality of mandrels over the hard mask; depositing a spacer layer over and along sidewalls of the plurality of mandrels; patterning the spacer layer to provide a plurality of spacers on the sidewalls of the plurality of mandrels; after patterning the spacer layer, removing the plurality of mandrels; transferring a patterning the plurality of spacers to the hard mask; and patterning the target layer using the hard mask as a mask.