Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter

Verfahren zum Herstellen einer Halbbrücke (10) für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, die Halbbrücke (10) umfassend ein Substrat, Halbleiterschaltelemente (24), Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) und Signalanschlüsse (20), wobei die Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) und die Signalanschlüsse (20) aus einem Flachleiterrahmen ausgeformt, vorzugsweise ausgestanzt, werden, wobei die Signalanschlüsse (20) derart an die Halbleiterschaltelemente (24) elektrisch angebunden werden, dass die Halbleiterschaltelemente (24) über die Signalanschlüsse (20) schaltbar sind und wobei die Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) derart an die Halbleiterschaltelemente (24) elektrisch angebunden werden, dass die Halbleiterschaltelemente (24) eine elektrische Leistungsübertragung zwischen den Leistungsanschlüssen (14, 16, 18) zulassen oder unterbrechen, wobei die Halbleiterschaltelemente (24) in einem modular ausgebildeten Schichtsystem eingebettet werden, welches eine Kontaktierungsebene (22) und eine Metallisierung zur Kontaktierung der Halbleiterschaltelemente (24) umfasst, wobei die Signalanschlüsse (20) und die Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) auf einer ersten Fläche des Substrats angeordnet werden, wobei das modulare Schichtsystem, die Signalanschlüsse (20) und die Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) mit einer Vergussmasse (12) vergossen werden, wobei sich im Leiterrahmen ausgeformte externe Abschnitte der Leistungsanschlüsse (14, 16, 18) und/oder der Signalanschlüsse (20) jeweils aus einer zur ersten Fläche orthogonalen zweiten Fläche aus der Vergussmasse (12) heraus erstrecken, wobei die externen Abschnitte jeweils ein Ende aufweisen, welches zur ersten Fläche senkrecht steht. A half-bridge having semiconductor switch elements embedded in a modular layer system that comprises a contact plane and a metal plating for establishing contact with the semiconductor switch elements, wherein the signal connections and power connections are located on a first surface of the substrate, wherein the modular layer system, signal connections and power connections are cast in a casting compound, wherein external sections of the power connections and/or signal connections formed in the conductor frame each extend from the casting compound, from a second surface that is orthogonal to the first surface, wherein the external sections each have an end that is perpendicular to the first surface.