Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, umfassend zwei mittels einer stoffschlüssigen Verbindung mechanisch mit einander verbundene Elemente (30,33) wobei die beiden Elemente (30,33) jeweils einen Kontaktbereich (31,34) aufweisen, der mit einem korres...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schaffer, Dirk
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, umfassend zwei mittels einer stoffschlüssigen Verbindung mechanisch mit einander verbundene Elemente (30,33) wobei die beiden Elemente (30,33) jeweils einen Kontaktbereich (31,34) aufweisen, der mit einem korrespondierenden Kontaktbereich (31,34) des jeweils anderen Elements (30,33) in direktem Berührungskontakt steht. Erfindungsgemäß ist mindestens einer der Kontaktbereiche (31,34) mindestens bereichsweise mit einer Hartschicht (39) versehen.