Mess-Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht in ein Objektfeld einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithografie

Eine Mess-Beleuchtungsoptik (28) dient zur Führung von Beleuchtungslicht (3) in einem Objektfeld (19) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Lithografie. Ein Pupillenfacettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (11) dient zur überlagernden Abbildung von Feldfacettenbildern (12) von Feldfacetten (7) eines Feldfacettenspiegels (6) in das Objektfeld (19), in dem eine Lithografiemaske (18) anordenbar ist. Ein Feldfacetten-Abbildungs-Kanal des Beleuchtungslichts (3) ist über jeweils eine Feldfacette (7) und jeweils eine Pupillenfacette (11) geführt. Ein Messfeld (19) hat längs einer Vollausleuchtungs-Felddimension (y) eine größere Erstreckung als jeweils eines der Feldfacettenbilder (12). Mindestens eine Messfeld-Ausleuchtungseinrichtung (34) der Mess-Beleuchtungsoptik (28) gibt eine Führung des Beleuchtungslichts (3) über die Feldfacetten-Abbildungs-Kanäle zur Erzeugung einer simultanen Ausleuchtung des gesamten Messfeldes (19) durch die Feldfacetten-Abbildungs-Kanäle vor. Es resultiert eine Mess-Beleuchtungsoptik, mit der eine Vollausleuchtung eines Beleuchtungsfeldes möglich ist, welches längs einer Felddimension eine größere Erstreckung hat als ein Feldfacettenbild in der Objektebene.