HALBLEITERVORRICHTUNG UND -VERFAHREN
Verfahren, das Folgendes umfasst:Ausbilden einer Gabellagenstruktur (80) über einem Substrat (50);Ausbilden eines Stromschienenkontakts (74) angrenzend an die Gabellagenstruktur (80);Ausbilden eines Isolationsbereichs (78) auf dem Stromschienenkontakt (74), wobei die Gabellagenstruktur (80) vom Isol...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Verfahren, das Folgendes umfasst:Ausbilden einer Gabellagenstruktur (80) über einem Substrat (50);Ausbilden eines Stromschienenkontakts (74) angrenzend an die Gabellagenstruktur (80);Ausbilden eines Isolationsbereichs (78) auf dem Stromschienenkontakt (74), wobei die Gabellagenstruktur (80) vom Isolationsbereich (78) hervorragt;Aufwachsen eines ersten Source/Drain-Bereichs in der Gabellagenstruktur (80);Abscheiden eines Zwischenschichtdielektrikums auf dem ersten Source/Drain-Bereich; undAusbilden eines Source/Drain-Kontakts (138) durch das Zwischenschichtdielektrikum und den Isolationsbereich (78), wobei der Source/Drain-Kontakt (138) mit dem ersten Source/Drain-Bereich und dem Stromschienenkontakt (74) verbunden ist.
In an embodiment, a device comprises: a power rail contact; an isolation region on the power rail contact; a first dielectric fin on the isolation region; a second dielectric pin adjacent to the isolation region and the power rail contact; a first source/drain region on the second dielectric fin; and a source/drain contact between the first source/drain region and the first dielectric fin. The source/drain contact is in contact with the top surface of the first source/drain region, the side surface of the first source/drain region, and the top surface of the power rail contact. |
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