SPEICHERARRAYKONTAKTSTRUKTUREN

Eine Speicherzelle enthält einen Transistor mit einem Speicherfilm, der sich entlang einer Wortleitung erstreckt; einer Kanalschicht, die sich entlang des Speicherfilms erstreckt, wobei der Speicherfilm zwischen der Kanalschicht und der Wortleitung liegt; einer Source-Leitung, die sich entlang des Speicherfilms erstreckt, wobei der Speicherfilm zwischen der Source-Leitung und der Wortleitung liegt; eine sich entlang des Speicherfilms erstreckende Bitleitung, wobei der Speicherfilm zwischen der Bitleitung und der Wortleitung liegt; eine sich entlang der Bitleitung erstreckende zweite Kontaktschicht, wobei die zweite Kontaktschicht die Kanalschicht und den Speicherfilm kontaktiert; und einen Isolationsbereich zwischen der Source-Leitung und der Bitleitung. A memory cell includes a transistor including a memory film extending along a word line; a channel layer extending along the memory film, wherein the memory film is between the channel layer and the word line; a source line extending along the memory film, wherein the memory film is between the source line and the word line; a first contact layer on the source line, wherein the first contact layer contacts the channel layer and the memory film; a bit line extending along the memory film, wherein the memory film is between the bit line and the word line; a second contact layer on the bit line, wherein the second contact layer contacts the channel layer and the memory film; and an isolation region between the source line and the bit line.