Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (2), umfassend einen elektrischen Kontakt (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist;ein externes Verbindungselement (8), das dazu ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Fiore, Vincenzo, Roni, Arif, Stavagna, Emanuele, Hartner, Walter, Kollmann, Helmut, Erdoel, Tuncay, Arcioni, Francesca, Wagner, Christoph
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (2), umfassend einen elektrischen Kontakt (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist;ein externes Verbindungselement (8), das dazu ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte (20) bereitzustellen; undeine elektrische Umverteilungsschicht (6), die sich in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) erstreckt und dazu ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) und dem externen Verbindungselement (8) bereitzustellen,wobei die elektrische Umverteilungsschicht (6) eine Masseleitung (14B), die mit einem Massepotential verbunden ist, und eine Signalleitung (14A), die dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen, umfasst,wobei, wenn in einer Richtung senkrecht zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) betrachtet:eine Breite eines Zwischenraums (24) zwischen der Masseleitung (14B) und der Signalleitung (14A) ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfades (26),eine Variation der Breite des Zwischenraums (24) ist kontinuierlich kleiner als 25 Prozent der Breite des Zwischenraums (24) entlang des Pfades (26),ein Anfangspunkt (28) des Pfades (26) und der elektrische Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf eine Koordinatenachse in einer Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8), undein Endpunkt (30) des Pfades (26) und der Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf die Koordinatenachse in der Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu dem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8). A semiconductor device includes a semiconductor chip including an electrical contact arranged on a main surface of the semiconductor chip, an external connection element configured to provide a first electrical connection between the semiconductor device and a printed circuit board, and an electrical redistribution layer extending in a direction parallel to the main surface of the semiconductor chip and configured to provide a second electrical connection between the electrical contact of the semiconductor chip and the external connection element. The electrical redistribution laye