MEHRFACHBEREICHSSTROMSENSORTECHNIKEN

Techniken zum Verbessern einer Mehrfachbereichsstromerfassung werden bereitgestellt. Bei einem Beispiel kann ein Schaltkreis mehrere Shunt-Widerstände, mehrere Verstärkungswiderstände und einen ersten Schalter aufweisen. Ein erster Shunt-Widerstand der mehreren Shunt-Widerstände kann einen anderen T...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Chao, Hio Leong, Chen, Hai, Bari, Syed Mk
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Techniken zum Verbessern einer Mehrfachbereichsstromerfassung werden bereitgestellt. Bei einem Beispiel kann ein Schaltkreis mehrere Shunt-Widerstände, mehrere Verstärkungswiderstände und einen ersten Schalter aufweisen. Ein erster Shunt-Widerstand der mehreren Shunt-Widerstände kann einen anderen Typ als die anderen Shunt-Widerstände der mehreren Shunt-Widerstände aufweisen. Die mehreren Verstärkungswiderstände können einen ersten Verstärkungswiderstand desselben Widerstandstyps wie der erste Shunt-Widerstand aufweisen. Der erste Verstärkungswiderstand kann einen anderen Typ als die anderen Verstärkungswiderstände der mehreren Verstärkungswiderstände aufweisen. Der Schalter kann dazu ausgebildet sein, in einem ersten Zustand den ersten Shunt-Widerstand mit der Last zu koppeln und in einem zweiten Zustand den ersten Shunt-Widerstand von der Last zu trennen. Techniques for improved multiple-range current sensing are provided. In an example, a circuit can include a plurality of shunt resistors, a plurality of gain resistors, and a first switch. A first shunt resistor of the plurality of shunt resistors can be of a different type that the other shunt resistors of the plurality of shunt resistors. The plurality of gain resistors can include a first gain resistor of the same resistor type as the first shunt resistor. The first gain resistor can be a different resistor type than the other gain resistors of the plurality of gain resistors. The switch can be configured to couple the first shunt resistor with the load in a first state and to isolate the first shunt resistor from the load in a second state.