ABSCHEIDUNG VON GRAPHEN AUF EINER DIELEKTRIKUMSOBERFLÄCHE FÜR VERSCHALTUNGEN DER NÄCHSTEN GENERATION

Eine Integrierter-Schaltkreis-Struktur umfasst ein Dielektrikumsmaterial, das darin eine Öffnung aufweist, wobei die Öffnung durch Seiten und einen Boden definiert ist. Ein Graphen-Barrierenmaterial ist konform zu den Seiten und dem Boden der Öffnung, und ein über dem Graphen-Barrierenmaterial ausgebildetes leitendes Metall füllt zumindest einen Anteil des Rests der Öffnung in dem Dielektrikumsmaterial aus. Die Graphen-Barriere wird durch Anwenden einer Nicht-Wasserstoff-basierten Plasmavorbehandlung auf die Dielektrikumsoberfläche ausgebildet, einschließlich der Seiten und des Bodens der Öffnung, um im Wesentlichen jegliche Passivierung zu entfernen und eine aktivierte Dielektrikumsoberfläche zu ergeben. Die aktivierte Dielektrikumsoberfläche wird einem Kohlenstoff-basierten Precursor bei weniger als ungefähr 400 °C ausgesetzt, um eine Graphen-Barriere auszubilden. An integrated circuit structure, comprises a dielectric material having an opening therein, the opening defined by sides and a bottom. A graphene barrier material is conformal to the sides and the bottom of the opening, and a conductive metal over the graphene barrier material that fills at least a portion of a remainder of the opening in the dielectric material. The graphene barrier is formed by applying a non-hydrogen based plasma pretreatment to the dielectric surface, including the sides and the bottom of the opening, to substantially remove any passivation and provide an activated dielectric surface. A carbon-based precursor is exposed to the activated dielectric surface at less than approximately 400° C. to form the graphene barrier.