HALBLEITERVORRICHTUNG

Jede einer Vielzahl von IGBT-Zellen (20) enthält eine n-Basisschicht (1), die in einer Halbleiterschicht (100) ausgebildet ist, eine p-Basisschicht (2), die in einem Oberflächenteilbereich der n-Basisschicht (1) auf einer Seite der ersten Hauptoberfläche ausgebildet ist, eine n-Emitterschicht (3), die in einem Oberflächenteilbereich der p-Basisschicht (2) ausgebildet ist, und eine p-Kollektorschicht (4), die in einem Oberflächenteilbereich der Halbleiterschicht (100) auf einer Seite der zweiten Hauptoberfläche ausgebildet ist. Auf einer ersten Hauptoberfläche der Halbleiterschicht (100) sind eine Gateelektrode (8) und eine Emitterelektrode (10) ausgebildet. Auf einer zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterschicht (100) ist eine Kollektorelektrode (11) ausgebildet. Ein Pitch der Vielzahl von IGBT-Zellen (20) ist 1/40 oder mehr und 1/20 oder weniger eines Abstands zwischen der p-Basisschicht (2) und der p-Kollektorschicht (4). Each of a plurality of IGBT cells includes an n base layer formed in a semiconductor layer, a p base layer formed in a surface portion of the n base layer on a side of the first main surface, an n emitter layer formed in a surface portion of the p base layer, and a p collector layer formed in a surface portion of the semiconductor layer on a side of the second main surface. On a first main surface of the semiconductor layer, a gate electrode and an emitter electrode are formed. On a second main surface of the semiconductor layer, a collector electrode is formed. A pitch of the plurality of IGBT cells is 1/40 or more and 1/20 or less of a distance between the p base layer and the p collector layer.