ZWEISCHICHTAUSKLEIDUNG FÜR METALLISIERUNG

Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung umfasst Bilden einer Öffnung in einer dielektrischen Schicht und Bilden einer Sperrschicht in der Öffnung. Über der Sperrschicht wird zunächst durch Bilden einer ersten Auskleidungsschicht über der Sperrschicht und Bilden einer zweiten Auskleidungsschicht über der ersten Auskleidungsschicht eine kombinierte Auskleidungsschicht derart gebildet, dass sich die erste Auskleidungsschicht und die zweite Auskleidungsschicht vermischen. Über der kombinierten Auskleidungsschicht wird eine leitfähige Materialschicht gebildet und es wird ein thermischer Prozess zum Aufschmelzen der leitfähigen Materialschicht durchgeführt. A method of forming a semiconductor device includes forming an opening in a dielectric layer, and forming a barrier layer in the opening. A combined liner layer is formed over the barrier layer by first forming a first liner layer over the barrier layer, and forming a second liner layer over the first liner layer, such that the first liner layer and the second liner layer intermix. A conductive material layer is formed over the combined liner layer, and a thermal process is performed to reflow the conductive material layer.