LEISTUNGSHALBLEITERGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEISTUNGSHALBLEITERGEHÄUSES

Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitergehäuses, umfassend das Bereitstellen eines Leiterrahmens, der ein Die-Pad und einen Rahmen umfasst, wobei das Die-Pad mit dem Rahmen durch mindestens eine Verbindungsstrebe verbunden ist, das Anbringen eines Halbleiterchips an dem Die-Pad, das Laserschneiden durch die mindestens eine Verbindungsstrebe, wodurch eine Schnittfläche gebildet wird, und nach dem Laserschneiden, das Überformen des Die-Pads und des Halbleiterchips, wobei die Schnittfläche vollständig mit Formmasse bedeckt ist. A method for fabricating a power semiconductor package includes: providing a leadframe having a die pad and a frame, wherein the die pad is connected to the frame by at least one tie bar; attaching a semiconductor die to the die pad; laser cutting through the at least one tie bar, thereby forming a cut surface; and after the laser cutting, molding over the die pad and the semiconductor die, wherein the cut surface is completely covered by molding compound.