Halbleitervorrichtungen

Eine Halbleitervorrichtung (100) beinhaltet Gate-Schichten (130), die auf ein Substrat (101) in einer ersten Richtung (z) senkrecht zu einer oberen Oberfläche des Substrats (101) gestapelt sind, und Kanalstrukturen (CH), die die Gate-Schichten (130) durchdringen und sich in der ersten Richtung (z) erstrecken, wobei jede von den Kanalstrukturen (CH) erste dielektrische Schichten (142) jeweils auf Seitenoberflächen der Gate-Schichten (130), die voneinander in der ersten Richtung (z) beabstandet sind, elektrische Ladungsspeicherschichten (144) jeweils auf Seitenoberflächen der ersten dielektrischen Schichten (142), die voneinander in der ersten Richtung (z) beabstandet sind, eine zweite dielektrische Schicht (146), die sich senkrecht zu dem Substrat (101) so erstreckt, dass sie Seitenoberflächen der elektrischen Ladungsspeicherschichten (144) entspricht, und eine Kanalschicht (140) beinhaltet, die sich senkrecht erstreckt, wobei jede von den ersten dielektrischen Schichten (142) eine erste maximale Schicht (L1) aufweist, und jede von den elektrischen Ladungsspeicherschichten (144) eine zweite maximale Länge (L2) aufweist, die größer ist als die erste maximale Länge (L1) in der ersten Richtung (z). A semiconductor device includes gate layers stacked on a substrate in a first direction perpendicular to an upper surface of the substrate, and channel structures penetrating the gate layers and extending in the first direction, each of the channel structures includes first dielectric layers on side surfaces of the gate layers, respectively, and spaced apart from each other in the first direction, electric charge storage layers on side surfaces of the first dielectric layers, respectively, and spaced apart from each other in the first direction, a second dielectric layer extending perpendicularly to the substrate to conform to side surfaces of the electric change storage layers, and a channel layer extending perpendicularly, and each of the first dielectric layers has a first maximum length, and each of the electric charge storage layers has a second maximum length greater than the first maximum length in the first direction.