Verfahren, Steuervorrichtung und Speichermedium

Verfahren (100) zum Betreiben einer Prozessgruppe, welche zumindest einen ersten Prozess (P1) und einen zweiten Prozess (P2) durchführt, das Verfahren (100) aufweisend:* Erfassen (101) eines Substrats (102), welches mittels des ersten Prozesses (P1) und danach mittels des zweiten Prozesses (P2) bear...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Ließ, Udo, Mosshammer, Steffen, Lehmann, Henry, Benecke, Frank, Löhnert, Johannes
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren (100) zum Betreiben einer Prozessgruppe, welche zumindest einen ersten Prozess (P1) und einen zweiten Prozess (P2) durchführt, das Verfahren (100) aufweisend:* Erfassen (101) eines Substrats (102), welches mittels des ersten Prozesses (P1) und danach mittels des zweiten Prozesses (P2) bearbeitet wurde; und* Regeln (103) der Prozessgruppe mittels einer ersten Stellgröße des ersten Prozesses (P1) und mittels einer zweiten Stellgröße des zweiten Prozesses (P2) basierend auf einem Resultat des Erfassens (101);* wobei das Regeln (103) der Prozessgruppe mittels der ersten Stellgröße auf einem ersten Korrekturglied, welches von einem ersten Elementarregler implementiert wird, basiert, welches eine erste Zeitspanne zwischen dem Bearbeiten des Substrats (102) mittels des ersten Prozesses (P1) und dem Erfassen (101) des Substrats (102) berücksichtigt; und* wobei das Regeln (103) der Prozessgruppe mittels der zweiten Stellgröße auf einem zweiten Korrekturglied, welches von einem zweiten Elementarregler implementiert wird, basiert, welches eine zweite Zeitspanne zwischen dem Bearbeiten des Substrats (102) mittels des zweiten Prozesses (P2) und dem Erfassen (101) des Substrats (102) berücksichtigt;* wobei der erste Elementarregler und der zweite Elementarregler unabhängig voneinander arbeiten.