Halbleitervorrichtung und Verfahren

In einer Ausführungsform weist eine Vorrichtung Folgendes auf: eine erste Finne; eine Gate-Struktur über der ersten Finne; eine erste Source/Drain-Region neben der Gate-Struktur; eine Ätzstoppschicht über der ersten Source/Drain-Region; eine Leiterbahn über der Ätzstoppschicht, wobei die Leiterbahn durch die Ätzstoppschicht gegenüber der ersten Source/Drain-Region isoliert ist und eine Oberseite der Leiterbahn mit einer Oberseite der Gate-Struktur koplanar ist; und einen durch die erste Finne verlaufenden Stromschienenkontakt, wobei der Stromschienenkontakt mit der ersten Source/Drain-Region verbunden ist. In an embodiment, a device includes: a first fin; a gate structure over the first fin; a first source/drain region adjacent the gate structure; an etch stop layer over the first source/drain region; a conductive line over the etch stop layer, the conductive line isolated from the first source/drain region by the etch stop layer, a top surface of the conductive line being coplanar with a top surface of the gate structure; and a power rail contact extending through the first fin, the power rail contact connected to the first source/drain region.