Vorrichtung, System und Verfahren zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung

Vorrichtung, System und Verfahren zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1), ein System (50) und ein Verfahren (100) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung. Dabei ist eine Prozesskammer (2) zur Aufnahme wenigstens eines Werkstückträgers (30) eingerichtet. Erfindungsgemäß ist die Vorrichtung (1) dazu ei...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Fuchs, Jens-Uwe, Tröller, Mirko, Reize, Ralf, Leichtle, Roland
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
COATING METALLIC MATERIAL
DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1), ein System (50) und ein Verfahren (100) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung. Dabei ist eine Prozesskammer (2) zur Aufnahme wenigstens eines Werkstückträgers (30) eingerichtet. Erfindungsgemäß ist die Vorrichtung (1) dazu eingerichtet, die Prozesskammer (2) mithilfe wenigstens eines von der Prozesskammer (2) aufnehmbaren Werkstückträgers (30) zu beheizen. A device for plasma-enhanced chemical vapor deposition includes a process chamber configured to receive at least one workpiece carrier. The device is configured to heat the process chamber with the aid of at least one workpiece carrier that can be received by the process chamber. A system and a method for plasma-enhanced chemical vapor deposition are also provided.