Verfahren zum Wachsen einer Halbleiteranordnung und Halbleiteranordnung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsen einer Halbleiteranordnung, wobei das Verfahren das Bereitstellen eines Siliciumsubstrats sowie das Wachsen zweier Metallnitridschichten aufweist, wobei die Metallnitridschichten jeweils mittels eines Metalltargets und eines Plasmas gewachsen werden. Für die zweite Metallnitridschicht wird dabei ein höherer Wasserstoffanteil verwendet. Dies erlaubt eine bessere Kristallqualität als bei bekannten Verfahren. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine entsprechend hergestellte Halbleiteranordnung. The disclosure relates to a method for growing a semiconductor assembly. The method includes the steps of providing a silicon substrate and growing two metal nitride layers, each metal nitride layer being grown by means of a metal target and a plasma. For the second metal nitride layer a higher hydrogen content is used, allowing for better crystal quality than in known methods. The disclosure further relates to a semiconductor assembly that is produced accordingly.