HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

Eine Halbleitervorrichtung weist eine Gate-Elektrode, eine Source/Drain-Struktur, einen unteren Kontakt, der sich entweder mit der Gate-Elektrode oder mit der Source/Drain-Struktur in Kontakt befindet, und einen oberen Kontakt auf, der in einer Öffnung angeordnet ist, die in einer dielektrischen Zwischenschicht (Interlayer Dielectric Layer, ILD-Schicht) ausgebildet ist, und sich in direktem Kontakt mit dem unteren Kontakt befindet. Der obere Kontakt befindet sich in direktem Kontakt mit der ILD-Schicht, ohne eine dazwischen eingefügte leitfähige Sperrschicht, und der obere Kontakt enthält Ruthenium. A semiconductor device includes a gate electrode, a source/drain structure, a lower contact contacting either of the gate electrode or the source/drain structure, and an upper contact disposed in an opening formed in an interlayer dielectric (ILD) layer and in direct contact with the lower contact. The upper contact is in direct contact with the ILD layer without an interposing conductive barrier layer, and the upper contact includes ruthenium.