Verfahren

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Verfahren aufweisen: Zerstäuben eines Halbleitermaterials mittels eines Plasmas, wobei das Plasma Krypton aufweist; Beschichten eines Substrats mittels des zerstäubten Halbleitermaterials.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Linß, Volker
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Verfahren aufweisen: Zerstäuben eines Halbleitermaterials mittels eines Plasmas, wobei das Plasma Krypton aufweist; Beschichten eines Substrats mittels des zerstäubten Halbleitermaterials.