HALBLEITERVORRICHTUNG, DIE EINE TRANSPARENTE LEITENDE OXIDSCHICHT ENTHÄLT

Halbleitervorrichtung (100) kann eine Stapelstruktur (110) auf einem Substrat (102) umfassen, wobei die Stapelstruktur (110) eine Mehrzahl dielektrischer Schichten (114) und eine Mehrzahl transparenter, leitfähiger Oxidschichten (112) enthält, wobei die dielektrischen Schichten (114) und die transparenten, leitfähigen Oxidschichten (112) abwechselnd gestapelt sind, wobei jede der dielektrischen Schichten (114) und eine entsprechende der transparenten, leitfähigen Oxidschichten (112), die in vertikaler Richtung nebeneinander liegen, gleiche horizontale Breiten aufweisen, und eine Kanalstruktur (C), die sich durch die Stapelstruktur (110) hindurch erstreckt, wobei die Kanalstruktur (C) eine Informationsspeicherschicht (120), eine Kanalschicht (130) innerhalb der Informationsspeicherschicht (120) und eine vergrabene dielektrische Schicht (135) innerhalb der Kanalschicht (130) enthält. A semiconductor device may comprise a stack structure on a substrate, the stack structure including a plurality of dielectric layers and a plurality of transparent conductive oxide layers, the dielectric layers and the transparent conductive oxide layers are alternately stacked, each of the dielectric layers and a corresponding one of the transparent conductive oxide layer adjacent to each other in a vertical direction have equal horizontal widths, and a channel structure extending through the stack structure, the channel structure including an information storage layer, a channel layer inside the information storage layer, and a buried dielectric layer inside the channel layer.