Halbleitervorrichtungen mit getrennten Ladungsspeicherschichten

Halbleitervorrichtungen sind vorgesehen. Eine Halbleitervorrichtung (100) weist Gateelektroden (130) auf einem Substrat (101) und rechtwinklig zu einer oberen Oberfläche des Substrats (101) gestapelt auf. Die Halbleitervorrichtung (100) weist Zwischenschichtisolierschichten (120) auf, welche alternierend mit den Gateelektroden (130) gestapelt sind. Darüber hinaus weist die Halbleitervorrichtung (100) Kanalstrukturen (CH) auf, welche durch die Gateelektroden (130) hindurchtreten. Jede der Kanalstrukturen (CH) weist eine Kanalschicht (140) auf, welche sich rechtwinklig zu der oberen Oberfläche des Substrats (101) erstreckt, eine Tunnelisolierschicht (142) auf der Kanalschicht (140), Ladungsspeicherschichten (143) auf der Tunnelisolierschicht (142) in jeweiligen Bereichen zwischen den Gateelektroden (130) und einer Seitenoberfläche der Tunnelisolierschicht (142), und erste Sperrisolierschichten (144) jeweils auf den Ladungsspeicherschichten (143). Eine erste Schicht der ersten Sperrisolierschichten (144) ist auf einer oberen Oberfläche, einer unteren Oberfläche und einer Seitenoberfläche einer ersten Schicht der Ladungsspeicherschichten (143). Semiconductor devices are provided. A semiconductor device includes gate electrodes on a substrate and stacked perpendicularly to an upper surface of the substrate. The semiconductor device includes interlayer insulating layers alternately stacked with the gate electrodes. Moreover, the semiconductor device includes channel structures passing through the gate electrodes. Each of the channel structures includes a channel layer extending perpendicularly to the upper surface of the substrate, a tunneling insulating layer on the channel layer, charge storage layers on the tunneling insulating layer in respective regions between the gate electrodes and a side surface of the tunneling insulating layer, and first blocking insulating layers on the charge storage layers, respectively. A first layer of the first blocking insulating layers is on an upper surface, a lower surface, and a side surface of a first layer of the charge storage layers.