VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

Verfahren, umfassend:Ausbilden eines Gatestapels (60, 72; 100, 102) über einer Halbleiterfinne (55), wobei sich die Halbleiterfinne von einem Halbleitersubstrat (50) erstreckt;anisotropes Ätzen der Halbleiterfinne (55), um eine erste Vertiefung (86) auszubilden; undisotropes Ätzen der Halbleiterfinne (55) unter Verwendung eines plasmafreien Trockenätzprozesses, um ein Oxid von der Halbleiterfinne zu entfernen;wobei das isotrope Ätzen der Halbleiterfinne (55) ein Aussetzen der Halbleiterfinne gegenüber einem Prozessgas umfasst, das Fluorwasserstoff (HF) und Ammoniak (NH3) enthält;wobei ein Verhältnis einer Flussrate des Ammoniaks im Prozessgas zu einer Flussrate des Fluorwasserstoffs im Prozessgas zwischen 2:1 und 5:1 ist; und/oderwobei eine Flussrate des Ammoniaks im Prozessgas zwischen 6 sccm und 20 sccm liegt und eine Flussrate des Fluorwasserstoffs im Prozessgas zwischen 2 sccm und 7 sccm liegt. Methods for performing a pre-clean process to remove an oxide in semiconductor devices and semiconductor devices formed by the same are disclosed. In an embodiment, a method includes forming a shallow trench isolation region over a semiconductor substrate; forming a gate stack over the shallow trench isolation region; etching the shallow trench isolation region adjacent the gate stack using an anisotropic etching process; and after etching the shallow trench isolation region with the anisotropic etching process, etching the shallow trench isolation region with an isotropic etching process, process gases for the isotropic etching process including hydrogen fluoride and ammonia.