HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN

Es sind Verfahren zum Durchführen eines Vorreinigungsprozesses zum Entfernen eines Oxids in Halbleitervorrichtungen und von diesen ausgebildete Halbleitervorrichtungen offenbart. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren ein Ausbilden eines Flachgrabenisolationsbereichs über einem Halbleitersubstrat; Ausbilden eines Gatestapels über dem Flachgrabenisolationsbereich; Ätzen des Flachgrabenisolationsbereichs neben dem Gatestapel unter Verwendung eines anisotropen Ätzprozesses; und nach dem Ätzen des Flachgrabenisolationsbereichs mit dem anisotropen Ätzprozess, Ätzen des Flachgrabenisolationsbereichs mit einem isotropen Ätzprozess, wobei Prozessgase für den isotropen Ätzprozess Fluorwasserstoff (HF) und Ammoniak (NH3) enthalten. Methods for performing a pre-clean process to remove an oxide in semiconductor devices and semiconductor devices formed by the same are disclosed. In an embodiment, a method includes forming a shallow trench isolation region over a semiconductor substrate; forming a gate stack over the shallow trench isolation region; etching the shallow trench isolation region adjacent the gate stack using an anisotropic etching process; and after etching the shallow trench isolation region with the anisotropic etching process, etching the shallow trench isolation region with an isotropic etching process, process gases for the isotropic etching process including hydrogen fluoride and ammonia.