FINFET-VORRICHTUNG UND VERFAHREN

Eine Vorrichtung weist auf: eine Finne, die sich von einem Halbleitersubstrat erstreckt; einen Gatestapel über der Finne; einen ersten Abstandhalter an einer Seitenwand des Gatestapels; eine Source/Drain-Region in der Finne neben dem ersten Abstandhalter; eine Zwischenschichtdielektrikumschicht, ILD-Schicht, die sich über den Gatestapel, den ersten Abstandhalter und die Source/Drain-Region erstreckt, wobei die ILD einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt aufweist, wobei der zweite Abschnitt der ILD näher an dem Gatestapel liegt als der erste Abschnitt der ILD; einen Kontaktstopfen, der sich durch die ILD erstreckt und die Source/Drain-Region kontaktiert; einen zweiten Abstandhalter an einer Seitenwand des Kontaktstopfens; und einen Luftspalt zwischen dem ersten Abstandhalter und dem zweiten Abstandhalter, wobei sich der erste Abschnitt der ILD über den Luftspalt hinweg erstreckt und den zweiten Abstandhalter physisch kontaktiert, wobei der erste Abschnitt der ILD den Luftspalt verschließt. A device includes a fin extending from a semiconductor substrate; a gate stack over the fin; a first spacer on a sidewall of the gate stack; a source/drain region in the fin adjacent the first spacer; an inter-layer dielectric layer (ILD) extending over the gate stack, the first spacer, and the source/drain region, the ILD having a first portion and a second portion, wherein the second portion of the ILD is closer to the gate stack than the first portion of the ILD; a contact plug extending through the ILD and contacting the source/drain region; a second spacer on a sidewall of the contact plug; and an air gap between the first spacer and the second spacer, wherein the first portion of the ILD extends across the air gap and physically contacts the second spacer, wherein the first portion of the ILD seals the air gap.