Speichervorrichtung

Eine Speichervorrichtung umfasst ein Substrat; eine gestapelte Struktur, die eine Mehrzahl von Gate-Schichten und eine Mehrzahl von Zwischenisolierschichten umfasst, welche abwechselnd auf dem Substrat in einer vertikalen Richtung gestapelt sind, wobei die gestapelte Struktur eine Reihe an Ausschnitten umfasst, wobei sich jeder der Ausschnitte in einer ersten horizontalen Richtung erstreckt und derart eingerichtet ist, dass er die Mehrzahl von Gate-Schichten schneidet, wobei die Ausschnitte voneinander beabstandet und in einer Zellregion der gestapelten Struktur in der ersten horizontalen Richtung angeordnet sind; und eine Reihe von Kanalstrukturen, wobei die Kanalstrukturen in der Zellregion in der ersten horizontalen Richtung angeordnet sind, wobei sich jede der Kanalstrukturen derart in der vertikalen Richtung erstreckt, dass sie in die Mehrzahl von Gate-Schichten eindringt. A memory device includes a substrate; a stacked structure including a plurality of gate layers and a plurality of interlayer insulating layers that are alternately stacked on the substrate in a vertical direction, the stacked structure including a row of cutouts, each of the cutouts extending in a first horizontal direction and being configured to cut the plurality of gate layers, the cutouts being apart from each other and arranged in a cell region of the stacked structure in the first horizontal direction; and a row of channel structures, the channel structures being arranged in the cell region in the first horizontal direction, each of the channel structures extending in the vertical direction to penetrate the plurality of gate layers.