Integrierte Schaltungsvorrichtung mit Stützstruktur für Elektroden

Integrierte Schaltungsvorrichtung (IC) aufweisend:eine untere Elektrode (LE), die auf einem Substrat (110) ausgebildet ist; undeine obere Stützstruktur (USS), die derart eingerichtet ist, dass sie die untere Elektrode (LE) stützt, wobei die obere Stützstruktur (USS) um die untere Elektrode (LE) herum angeordnet ist,wobei die obere Stützstruktur (USS) aufweist:ein oberes Stützmuster (144P), welches die untere Elektrode (LE) umgibt und sich in einer lateralen Richtung parallel zu dem Substrat (110) erstreckt, wobei das obere Stützmuster (144P) ein Loch aufweist, durch das die untere Elektrode (LE) verläuft; undein oberes Abstandhalter-Stützmuster (146P), das sich zwischen dem oberen Stützmuster (144P) und der unteren Elektrode (LE) in dem Loch befindet und das eine äußere Seitenwand aufweist, die mit dem oberen Stützmuster (144P) in Kontakt ist, und das eine innere Seitenwand aufweist, die mit der unteren Elektrode (LE) in Kontakt ist, wobei sich eine Breite des oberen Abstandhalter-Stützmusters (146P) in der lateralen Richtung in einer Richtung zum Substrat (110) hin verringert, wobeidas obere Abstandhalter-Stützmuster (146P) einen Siliciumcarbonitrid-Film, einen borhaltigen Siliciumnitrid-Film, oder eine Kombination daraus aufweist. An integrated circuit (IC) device includes a lower electrode formed on a substrate, and an upper support structure disposed around the lower electrode and supporting the lower electrode. The upper support structure includes an upper support pattern surrounding the lower electrode and extending in a lateral direction parallel to the substrate, the upper support pattern having a hole through which the lower electrode passes, and an upper spacer support pattern between the upper support pattern and the lower electrode inside the hole and having an outer sidewall in contact with the upper support pattern and an inner sidewall in contact with the lower electrode, wherein a width of the upper spacer support pattern in the lateral direction decreases in a direction toward the substrate. To manufacture an IC device, an upper support pattern is formed on a substrate. An upper spacer support film is formed to cover a sidewall and a top surface of the upper support pattern. A plurality of lower electrodes are formed inside a plurality of holes formed in the upper support pattern. Portions of the upper spacer support film are removed to form a plurality of upper spacer support patterns between the upper support pattern and the lower electr