INTEGRIERTE-SCHALTKREIS-VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

Eine Integrierte-Schaltkreis-Vorrichtung umfasst eine Kanalschicht in einem Kanalloch, das eine Leitung und eine Isolierschicht durchdringt, eine Ladungsfallenstruktur innerhalb des Kanallochs zwischen der Leitung und der Kanalschicht, und eine Dummy-Ladungsfallenstruktur innerhalb des Kanallochs zwischen der Isolierschicht und der Kanalschicht. Um die Integrierte-Schaltkreis-Vorrichtung herzustellen, wird ein Kanalloch gebildet, das eine Isolierschicht und eine Vergussschicht durchdringt. Es wird eine mit dem Kanalloch verbundene Vergussvertiefung gebildet. Eine vorläufige dielektrische Struktur wird in der Vergussvertiefung gebildet. Die vorläufige dielektrische Struktur wird oxidiert, um eine erste dielektrische Sperrstruktur zu bilden. In dem Kanalloch wird eine Ladungsfallenschicht gebildet. Die Vergussschicht wird entfernt, um einen leitfähigen Raum zu bilden. Ein Abschnitt der Ladungsfallenschicht wird entfernt, um Ladungsfallenstrukturen und Dummy-Ladungsfallenstrukturen zu bilden. An integrated circuit device includes a channel layer in a channel hole penetrating a conductive line and an insulating layer, a charge trap pattern inside the channel hole between the conductive line and the channel layer, and a dummy charge trap pattern inside the channel hole between the insulating layer and the channel layer. In order to manufacture the integrated circuit device, a channel hole penetrating an insulating layer and a mold layer is formed. A mold indent connected to the channel hole is formed. A preliminary dielectric pattern is formed in the mold indent. The preliminary dielectric pattern is oxidized to form a first blocking dielectric pattern. A charge trap layer is formed in the channel hole. The mold layer is removed to form a conductive space. A portion of the charge trap layer is removed to form charge trap patterns and dummy charge trap patterns.