SEGMENTIERTE SPANNUNGSENTKOPPLUNG ÜBER VORDERSEITIGE GRABENBILDUNG

Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip, umfassend:ein Substrat (10) mit einer ersten Oberfläche (11) und einer zweiten Oberfläche (21), die gegenüber der ersten Oberfläche (11) angeordnet ist;einen spannungsempfindlichen Sensor (12), der bei der ersten Oberfläche (11) des Substrats (10) angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor (12) empfindlich gegenüber mechanischer Spannung ist;ein erstes Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben (20), die lateral von einer ersten lateralen Seite des spannungsempfindlichen Sensors (12) angeordnet sind, wobei sich jeder Spannungsentkopplungsgraben (20) des ersten Paares benachbarter Spannungsentkopplungsgräben (20) teilweise von der ersten Oberfläche (11) in das Substrat (10) in Richtung der zweiten Oberfläche (21) erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche (21); undeine erste Federstruktur (25), die zwischen dem ersten Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben (20) ausgebildet ist, so dass die erste Federstruktur (25) lateral von dem spannungsempfindlichen Sensor (12) angeordnet ist und dazu ausgelegt ist, externe Spannung von einer Umgebung zu absorbieren,wobei das erste Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben (20) durch einen einzelnen, kontinuierlichen Graben ausgebildet ist, der den spannungsempfindlichen Sensor (12) in einem Spiralmuster umgibt, so dass mindestens ein Abschnitt des einzelnen, kontinuierlichen Grabens in mindestens einer lateralen Richtung überlappt, die sich von dem spannungsempfindlichen Sensor (12) erstreckt,wobei das Substrat (10) einen Rückseitenabschnitt beinhaltet, der sich von der zweiten Oberfläche des Substrats (10) bis zu einem Boden eines tiefsten Spannungsentkopplungsgrabens (20) erstreckt, wobei sich der Rückseitenabschnitt lateral durch einen Körper des Substrats (10) erstreckt, so dass das Substrat (10) aus einer einteiligen integralen Konstruktion besteht, undwobei die Federstruktur (25) ein Abschnitt des Substrats (10) ist, der sich von dem Rückseitenabschnitt des Substrats (10) zur ersten Oberfläche des Substrats (10) erstreckt. A semiconductor device includes a first region; a second region that is peripheral to the first region; a substrate having a first surface and a second surface arranged opposite to the first surface; a stress-sensitive sensor disposed in the first region at the first surface of the substrate; a back end of line (BEOL) stack disposed on the first surface of the semiconductor chip that extends laterall