Vorrichtung zur Verhinderung der Nichtzündung unbeschädigter Airbag-Zündkreise bei einem Unfall durch Ableitung der Injektionsströme

Vorrichtung zur Verwendung in einem integrierten CMOS-Schaltkreis- mit einem Kontakt (PDH, PDL) des CMOS-Schaltkreises und- mit einem p-dotierten Substrat (Sub) des CMOS-Schaltkreises und- mit einem n-dotierten N-Gebiet (NG) und- mit einer Ausgangsleitung (PDCH, PDCL) und- mit einem Ausgangstransist...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Friesen, Andreas, Abaza, Fikret, Liedtke, Marco, Friemann, Uwe, Sudhaus, Andre, Schmalhorst, Mats
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS GENERATION PERFORMING OPERATIONS TRANSPORTING VEHICLES IN GENERAL VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISEPROVIDED FOR
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Vorrichtung zur Verwendung in einem integrierten CMOS-Schaltkreis- mit einem Kontakt (PDH, PDL) des CMOS-Schaltkreises und- mit einem p-dotierten Substrat (Sub) des CMOS-Schaltkreises und- mit einem n-dotierten N-Gebiet (NG) und- mit einer Ausgangsleitung (PDCH, PDCL) und- mit einem Ausgangstransistor (T1H, T1L) und- mit einer Funktionsschaltung (GC) und- mit einer optionalen ESD-Schutzschaltung (ESD) und- mit einer Bezugspotenzialleitung (GND),- wobei das N-Gebiet (NG) in dem p-dotierten Substrat (Sub) liegt und- wobei das N-Gebiet (NG) mit der Ausgangsleitung (PDCH, PDCL) elektrisch verbunden ist und- wobei der Kontakt (PD) mit der Ausgangsleitung (PDCH, PDCL) elektrisch verbunden ist und- wobei die optionale ESD-Schutzschaltung den Ausgangstransistor (T1H, T1L) einschalten kann und- wobei die Funktionsschaltung (GC) den Ausgangstransistor (T1H, T1L) ein- und ausschalten kann und- wobei die Vorrichtung einen Schalttransistor (T2, T1L) umfasst und- wobei die Vorrichtung eine Überwachungsvorrichtung (UVH, UVL) umfasst und- wobei die Überwachungsvorrichtung (UVH, UVL) das Potenzial des Kontakts (PDH, PDL) oder ein daraus abgeleitetes Potenzial erfasst und- wobei die Überwachungsvorrichtung (UVH, UVL) den erfassten Wert des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL) und/oder den erfassten Wert des aus dem Potenzial des Kontaktes (PDH, PDL) abgeleiteten Potenzials mit einem Referenzwert vergleicht und- wobei die Überwachungsvorrichtung (UVH, UVL) den Schalttransistor (T2, T1L) einschaltet,- wenn der Wert des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL) unter dem Referenzwert liegt, und- wobei dieser Referenzwert für den Wert des Potenzials des Kontakts (PDH, PDL)- unter dem Wert des Potenzials des Substrats (Sub) liegt und/oder- unter dem Wert des Potenzials der Bezugspotenzialleitung (GND) liegt und- wobei der Schalttransistor (T2, T1L) den Kontakt (PDH, PDL) mit einer Bezugspotenzialleitung (GND) verbindet, wenn er eingeschaltet wird,- wobei der Schalttransistor (T1L) gleich dem Ausgangstransistor (T1L) sein kann.