III-N-TRANSISTOREN INTEGRIERT MIT DÜNNFILMTRANSISTOREN MIT GRADIERTEN DOTIERSTOFFKONZENTRATIONEN UND/ODER VERBUND-GATE-DIELEKTRIKA

Offenbart hierin sind IC-Strukturen, Packages und Vorrichtungen, die Dünnfilm-Transistoren (TFTs), integriert auf dem gleichen Substrat/Die/Chip wie III-N-Bauelemente, z.B. III-N-Transistoren, umfassen. Bei verschiedenen Aspekten weisen TFTs, die mit III-N-Transistoren integriert sind, einen Kanal u...

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Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Weng, Xiaojun, Then, Han Wui, Ramaswamy, Rahul, Radosavljevic, Marko, Fischer, Paul B, Dasgupta, Sansaptak, Rode, Johann Christian, Hafez, Walid M, Beach, Samuel, Nidhi, Nidhi
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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